El nitruro de aluminio (ALN) es un nuevo tipo de material cerámico con excelentes propiedades integrales. Tiene una excelente conductividad térmica, aislamiento eléctrico confiable, baja pérdida de constante dieléctrica y dieléctrica, no tóxico y un coeficiente de expansión térmica compatible con silicio. La serie de excelentes características se considera los materiales ideales para sustratos semiconductores altamente concentrados y envases de barras de cerámica de vidrio de dispositivo electrónico.
La conductividad térmica del nitruro de aluminio es de 5 a 10 veces mayor que la del óxido de aluminio del material de sustrato tradicional, que está cerca de la conductividad térmica del óxido de berilio. La conductividad térmica de los sustratos Al2O3 es baja, y el coeficiente de expansión térmica no es muy compatible con SI. Aunque BEO tiene un excelente rendimiento integral, su costo de producción más alto y las deficiencias altamente tóxicas limitan su aplicación y promoción. En comparación con varios otros materiales cerámicos, la cerámica de nitruro de aluminio tiene excelentes propiedades integrales y son muy adecuadas para sustratos semiconductores y envases estructurales. El potencial de los materiales en la industria electrónica es enorme.
La división de cerámica avanzada de precisión dura es un proveedor líder de materiales cerámicos. Suministramos productos de cerámica de nitruro de aluminio con excelentes especificaciones y precios competitivos.
El nitruro de aluminio es un material cerámico con un excelente rendimiento general de la brida de cerámica maquinable, y su conductividad térmica es 7 veces mayor que la cerámica de alúmina. Al mismo tiempo, tiene una baja constante dieléctrica, excelentes propiedades eléctricas en comparación con la alúmina, la tasa de expansión térmica similar al silicio, alta resistencia específica, baja densidad, no tóxicas y otras características. Debido al desarrollo de la tecnología de microelectrónica, los componentes electrónicos se concentran en la miniaturización, la ligereza, la integración, la alta confiabilidad, la salida de alta potencia, etc. Los dispositivos más complejos tienen mayores requisitos para la disipación de calor de sustratos y materiales de encapsulación. Esta situación promueve aún más el floreciente desarrollo del sustrato de cerámica Ain. El siguiente artículo introducirá el proceso de sustratos AIN desde el polvo hasta la formación a la aplicación final.
Durante la preparación de polvo de nitruro de aluminio, su pureza, tamaño de partícula, contenido de oxígeno y otro contenido de impureza serán los factores de impacto en la posterior conductividad térmica del producto y los procesos de sinterización y formación posteriores, y también son factores clave en el rendimiento del rendimiento del producto final. El polvo AIN se sintetiza mediante un método de nitruración directa, método de reducción térmica de carbono, el método de síntesis de alta temperatura autopropagante, el método de deposición de vapor químico, etc. Como fabricante profesional, nuestro proceso de preparación de materias primas generalmente elige el método de formación de reducción térmica de carbono, que Es, la mezcla de polvo de alúmina y polvo de carbono se reduce a nitruro en el nitrógeno que fluye a una temperatura alta (1400 ℃ ~ 1800 ℃) para formar polvo Ain.
1. Sinterización de presión caliente: es decir, sinterización de cerámica bajo cierta presión, puede calentar simultáneamente la sinterización y la formación presurizada, para obtener grano fino, alta densidad relativa y buenas propiedades mecánicas de la cerámica.
2. Sinterización sin presión: el rango de temperatura general de la cerámica de sinterización de presión atmosférica es 1600-2000 ℃. Aumentar adecuadamente la temperatura de sinterización y extender el tiempo de mantenimiento, puede mejorar la densidad de la cerámica de Ain, pero la fuerza es relativamente baja.
3. Sinterización de microondas: la sinterización de microondas también es un método de sinterización rápida, el uso de la interacción de microondas con el medio para generar una pérdida dieléctrica para que el calor general.
4. Sinterización de plasma de descarga: Integración de la activación de plasma de la barra de cerámica de vidrio maquinable, presión en caliente, calentamiento de resistencia y otras tecnologías, tiene las características de la velocidad de sinterización rápida y el tamaño de grano uniforme, pero el costo del equipo es alto y el tamaño del procesado del procesado La pieza de trabajo es limitada.
5. Sinterización de autopropagación: los materiales cerámicos #AIN se preparan directamente mediante reacción de síntesis de alta temperatura de autopropagación bajo nitrógeno ultracresión. Sin embargo, es difícil obtener sustratos de cerámica ALN de alta densidad porque el nitruro de aluminio en la materia prima tiende a derretirse bajo la reacción de combustión de alta temperatura, lo que dificulta la penetración de nitrógeno en el tocho.
Para lograr una sinterización densa de #alnceramicsubstrate , reducir las impurezas y el contenido de la fase límite de grano, simplificar el proceso y reducir los costos, el proceso de sinterización cerámica Aln requiere tres elementos centrales: 1. Selección de un proceso de sinterización adecuado; 2. Control de atmósfera; y 3. Adición de ayudas de sinterización adecuadas.
